I. Công nghệ sản suất N-type TopCon

Công nghệ TOPCon thuộc loại tế bào loại N. PV mặt trời loại P và loại N được làm từ tấm wafer silicon. Tấm wafer silicon được pha tạp chất hóa học để cải thiện khả năng sản xuất điện, sự khác biệt giữa loại N và loại P đến từ vật liệu được sử dụng để pha tạp nó. Tế bào loại P được pha tạp boron, trong khi tế bào loại N được pha tạp phốt pho. Ưu điểm của phốt pho so với boron là boron có thể bị phân hủy do oxy, điều này không xảy ra với phốt pho. Ngoài ra, pha tạp phốt pho còn bổ sung thêm các electron tự do vào tấm bán dẫn, giúp tăng hiệu quả.

Các tế bào loại N được chia thành PERT, Topcon, HJT và IBC. Các tế bào TOPCon (một cấu trúc tế bào silicon loại N hiện đại hơn giúp làm giảm sự tái kết hợp trong tế bào) là đại diện chính. Chúng được giới thiệu lần đầu tiên vào năm 2013 nhưng chỉ được các nhà sản xuất áp dụng kể từ năm 2019.

Hình 1: Công nghệ  PERC và TopCon trong sản xuất PV

II. Những ưu điểm của công nghệ N-type TopCon

  • Hiệu suất cao hơn
  • Tốc độ suy giảm công suất hàng năng giảm và kéo dài tuổi thọ đến hơn 30 năm
  • Hệ số suy giảm công suất theo nhiệt độ thấp hơn
  • Hiệu suất cao hơn trong điều kiện ánh sáng yếu
  • Tỉ lệ chuyển đổi công suất 2 chiều cao hơn

III. Thông số kỹ thuật tấm PV RISEN RSM144-9-575BNDG

1.Thông số điện ở điều kiện tiêu chuẩn (STC)

Công suất đỉnh Pmax(Wp) 575
Điện áp hở mạch – Voc­ (V) 51,97
Dòng điện ngắn mạch – Isc (A) 14,06
Điện áp tại điểm công suất cực đại – Vmpp (V) 43,4
Dòng điện tại điểm công suất cực đại – Impp (A) 13,21
Hiệu suất chuyển đổi modul (%) 22,3

2. Mức tăng công suất 10% so với STC (phụ thuộc cách lắp đặt, chiều cao, góc nghiêng và suất phản chiếu của mặt đất

Công suất đỉnh Pmax(Wp) 633
Điện áp hở mạch – Voc­ (V) 51,97
Dòng điện ngắn mạch – Isc (A) 15,47
Điện áp tại điểm công suất cực đại – Vmpp (V) 43,6
Dòng điện tại điểm công suất cực đại – Impp (A) 14,53

3. Thông số điện ở điều kiện (NMOT): Bức xạ 800 W/m², Nhiệt độ 20°C, Tốc độ gió 1 m/s.

Công suất đỉnh Pmax(Wp) 436,1
Điện áp hở mạch – Voc­ (V) 48,33
Dòng điện ngắn mạch – Isc (A) 11,53
Điện áp tại điểm công suất cực đại – Vmpp (V) 40,46
Dòng điện tại điểm công suất cực đại – Impp (A) 10,78

4. Thông số kỹ thuật cơ khí

  • Kích thước: 2278x1134x30 mm; Diện tích lắp đặt tối thiểu: 4,6m2/kWp
  • Trọng lượng: 31 kg
  • Kính cường lực tráng phủ AR, truyền nhiệt cao
  • Khung Hợp kim nhôm anodized, màu bạc
  • Juntion Box : Chống nước IP68, 1500 VDC, 3 diode bypass
  • Cáp đấu nối: 4.0mm² , Positive(+)350mm, Negative(-) 230mm
  • Jack đấu nối: Risen Twinsel PV-SY02, IP68

5. Hệ số suy giảm công suất theo nhiệt độ

Nhiệt độ làm việc bình thường 44°C ±2°C Công suất đỉnh Pmax(Wp) 436,1
Hệ số nhiệt độ của Voc -0,25%/°C Điện áp hở mạch – Voc­ (V) 48,33
Hệ số nhiệt độ của ISC 0,046%/°C Dòng điện ngắn mạch – Isc (A) 11,53
Hệ số nhiệt độ của Pmax -0,29%/°C Điện áp tại điểm công suất cực đại – Vmpp (V) 40,46
Nhiệt độ làm việc – 40°C® 85°C Dòng điện tại điểm công suất cực đại – Impp (A) 10,78

Trả lời

All in one